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IBM称09年将推速度更快散热更小芯片4月15日消息，IBM及其联合开发合作伙伴三星电子和东芝等公司本周一宣布称，2009年的芯片速度将更快，但是，温度不会更热。 这个IBM联盟将使用“高K-金属栅极”技术实现这个目标。英特尔目前在其45纳米处理器中也在使用这个技术。这个联盟称，在同样的工作电压或者电源水平下，他们的芯片性能将比45纳米芯片高35%。
这个技术将使包括三星、东芝和飞思卡尔半导体在内的联盟生产出功能更强大、散热量更小的芯片。这对于手机等小型设备以及使用大量服务器的数据中心来说都是一个重要的进步。据IBM称，根据工作电压的不同，这种新的芯片的耗电量将比45纳米芯片减少30%至50%。
这个消息是一项技术的最新进展而不是一种技术突破的成就。去年年初，IBM宣布了这项技术，就是在下一代32纳米计算机芯片中采用“高K-金属栅极”技术。
“栅”是一个数字电路的基本构件，而“高K-金属”是使用的材料。随着晶体管的缩小，漏电情况会增加。对于芯片厂商来说，最大限度减少漏电是非常重要的。“高K-金属栅极”正是在这方面发挥重要作用。
IBM称，虽然使用这种技术的芯片设计过程现在可以开始了，但是，这个技术将在2009年下半年向联盟的合作伙伴提供。由于技术的原因，AMD不是这个联盟的成员。AMD是名为SOI的另一个联盟的成员。 |
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发表于 2008-7-6 22:17
发表于 2008-7-6 22:21
发表于 2008-7-6 22:23
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