DDR2内存和DDR3内存的区别(转)

sbitxmtd · 发表于 2008-9-19 21:34

1、逻辑Bank数量
最好的电脑自学交流论坛: A; b9 o: B& P1 o7 [
 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求;而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，此外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

2、封装（Packages）
 DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装;而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。值得一提的是DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

3、突发长度（BL，Burst Length）
 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
 寻址时序（Timing)就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

4、新增功能——重置（Reset）
 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

5、新增功能——ZQ校准
 ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
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★★★

sbitxmtd · 发表于 2008-9-19 21:35

6、参考电压信号--VREF
 对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级

7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
 为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。

8、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
 它是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。

9、点对点连接（P2P，Point-to-Point）
 这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。
 在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。

★★★

wo_shishui · 发表于 2008-9-19 21:49

好技术啊，不过就是不知道长久的测试性能啊。。。。

wangxiaocao119 · 发表于 2008-9-20 14:33

是好技术呀，但是贵呀

youngku · 发表于 2008-9-20 15:06

我是赶不上这拨了

sbitxmtd · 发表于 2008-9-20 15:59

原帖由 youngku 于 2008-9-20 15:06 发表
我是赶不上这拨了

那就等以后吧.......

accountant · 发表于 2008-9-20 18:22

不知道性能的区别又多大。

accountant · 发表于 2008-9-20 18:24

新的词语不少啊。

canghua · 发表于 2008-9-20 22:08

呵呵。。。新产品都比较贵。。要有高额的研发成本。

wo_shishui · 发表于 2008-9-21 12:23

好还性能估计也差不多吧
在用的笔以前台式机都好了好

martinlx · 发表于 2008-9-21 19:38

原帖由 wo_shishui 于 2008-9-21 12:23 发表
好还性能估计也差不多吧
在用的笔以前台式机都好了好

看您说话真是费劲啊

martinlx · 发表于 2008-9-21 19:39

原帖由 accountant 于 2008-9-20 18:22 发表
不知道性能的区别又多大。

5个虚拟机都装vista试试性能

martinlx · 发表于 2008-9-21 19:40

原帖由 youngku 于 2008-9-20 15:06 发表
我是赶不上这拨了

没事，听说明儿还有一拨儿，明儿这拨儿好，都是咸带鱼

snowolfII · 发表于 2008-9-23 19:58

原帖由 wangxiaocao119 于 2008-9-20 14:33 发表
是好技术呀，但是贵呀

贵到贵不了多少，，，

snowolfII · 发表于 2008-9-23 19:59

我的本本用不了DDR3，只能看热闹了~~~~~

accountant · 发表于 2008-9-23 21:21

这个东西眼前应该是贼贵的。

madeby · 发表于 2008-9-23 22:48

想买都不知道去哪儿买，打算等它降到白菜价……

kilov · 发表于 2008-9-24 01:32

专业词语太多，看不懂，只是想关心一下在使用上，尤其是用户感受上有什么区别

wangxiaocao119 · 发表于 2008-9-24 08:28

新出的有不贵的吗？过过就便宜，要想省钱，就得等

sbitxmtd · 发表于 2008-9-24 08:41

原帖由 wangxiaocao119 于 2008-9-24 08:28 发表
新出的有不贵的吗？过过就便宜，要想省钱，就得等

MM高见.................

nclf · 发表于 2008-9-25 22:03

有价格吗？和DDR2兼容吗。。。

ThinkOver · 发表于 2008-9-26 10:25

想同样知道楼上的问题。

ThinkOver · 发表于 2008-9-26 10:27

技术就是金钱，技术的字眼很好。

ThinkOver · 发表于 2008-9-26 10:28

估计用户在使用过程中体会不出来。

dlx1986 · 发表于 2008-9-27 23:04

性能提升了多少？来个直观点的！

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