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IBM-thinkpad原装品牌内存

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发表于 2006-11-19 00:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
IBM内存大多由其它专业内存厂代工,但标准由IBM 定制,所有被认证的内存条上除了原厂LOGO 还有IBM LOGO.
            可以说有IBM LOGO 的内存就代表高品质,一些标识PC
            66MHZ板载内存能顺利超频到100MHZ,因为有的内存芯片本身就是采用100MHZ颗粒,不过降频使用.从这点上不难看出IBM
            机器为何价格昂贵,为何TP 600E P2 366 效能要超过一些品牌的P3 机器.
            所以市场上IBM 认证的PC 100 128M内存也要高出别的品牌内存20-30元,目前价格在130-150元
            IBM订购的内存有以下几个品牌:
            英文名:MICRON; 中文名:美光 :MT;
            英文名:Infineon;中文名:英飞凌 简称:英飞凌;
            英文名:HYNIX   中文名:现代   简称:HY;
            英文名:PROMOS; 中文名:   简称:PROMOS;
            英文名:NANYA;   中文名:南亚   简称:NANYA;
            英文名:ELPIDA; 中文名:尔必达 简称:尔必达;
            英文名:SAMSUNG; 中文名:三 星 简称:三星;
            以下是找到关于内存芯片的数据资料,大家可以对照看看自己本本用的是否为100MHZ的芯片
            三星(Samsung)SDRAM内存
            第1字段由K,km组成,代表三星产品。
            第2字段由4组成,代表DRAM。
            第3字段代表数据带宽,4代表4位;8代表8位;16代表16位,32 32bit 。
            第4字段代表内存种类,S代表SDRAM。
            第5字段代表密度,1代表1M;2代表2M;4代表4M;8代表8M;16代表16M。
            第6字段代表刷新,0代表4K;1代表2K;2代表8K。
            第7字段代表芯片组成,2代表2Bank;3代表4Bank。
            第8字段代表电气接口,0代表LVTTL;1代表SSTL。
            第9字段代表版本号,空白代表第1版;A代表第2版;B代表第3版。
            第10字段代表封装方式,T代表TSOP Ⅱ(RPPmil)。
            第11字段代表功耗,G代表自动调节,F代表自动调节低功耗。
            第12字段代表内存的速度,7代表7ns(143MHz);8代表8ns(125MHz);10代表10ns(100MHz);H代表100MHz@CL=2;L代表100MHz@CL=3。


           内存颗粒编号的识别之-日立
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            第1字段由HM组成,代表日立产品。
            第2字段代表内存种类,51代表EDO;52代表SDRAM;54代表DDR SDRAM。
            第3字段代表密度,64代表64MB;12代表128MB;25代表256MB;51代表512MB。
            第4字段代表结构,405代表x4;805代表x8;165代表x16;325代表x32。
            第5字段代表芯片修正版本,A代表A修正版;B代表B修正版;C代表C修正版。
            第6字段代表封装方式,TT代表TSOP;TD代表DDP(Double-DensityPackage)。
            第7字段代表内存的速度,A60代表10ns(100MHz@CL为2&3);B60代表10ns(100MHz@CL=3);75代表7.5ns(133MHz);80代表8ns(125MHz)。

            内存颗粒编号的识别之-英飞凌(Infineon)
 楼主| 发表于 2006-11-19 01:00 | 显示全部楼层
内存颗粒编号的识别之-富士通(FUJITSU)SDRAM内存
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            第1字段由MB81组成,代表富士通的SDRAM产品。
            第2字段代表内存的种类,F代表PC100;1代表普通内存。
            第3字段代表容量。
            第4字段代表数据带宽,4代表4位;8代表8位;16代表16位;32代表32位。
            第5字段代表芯片的组成,22代表2BANK;42代表4BANK。
            第6字段代表产品系列。
            第7字段代表内存的速度,60代表6ns;70代表7ns;80代表8ns;102代表10ns(CL=2或3);103代表10ns(CL=3);100代表10ns;84代表12ns;67代表15ns。

            内存颗粒编号的识别之-东芝(TOSHIBA)SDRAM内存
            --------------------------------------------------------------------------------
            第1字段由TC组成,代表东芝产品。
            第2字段代表内存种类,59S代表SDRAM。
            第3字段代表容量,64代表64MB;128代表128MB。
            第4字段代表数据带宽,04代表4位;08代表8位;16代表16位;32代表32位。
            第5字段代表产品系列,比较常见的有A系列和B系列产品。
            第6字段代表封装方式,FT代表TSOP。
            第7字段代表功耗,空白代表普通;L代表低功耗。
            第8字段代表内存的速度,60代表6ns;70代表7ns;80代表8ns;102代表10ns(CL=2或3);103代表10ns(CL=3);100代表10ns;84代表12ns;67代表15ns。


            内存颗粒编号的识别之-三菱(MITSUBISHI)SDRAM
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            第1字段由M2组成,代表三菱产品。
            第2字段由代表I/O界面,一个字符组成,一般为V。
            第3字段代表容量,如16代表16MB。
            第4字段代表内存类型,S代表SDRAM。
            第5字段代表数据带宽,2代表4位;3代表8位;4代表16位。
            第6字段代表意义不详,一般为0。
            第7字段代表产品系列。
            第8字段代表封装类型,TP代表TSOP封装。
            第9字段代表内存的速度,8A代表8ns;7代表10ns(CL=2或3);8代表10ns(CL=3);10代表10ns。
            第10字段代表功耗,空白代表普通;L代表低功耗。


内存颗粒编号的识别之-LGs SDRAM内存
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            第1字段由GM组成,代表LGs公司的产品。
            第2字段代表产品类型,72代表SDRAM。
            第3字段代表电压,V代表3V。
            第4字段代表内存单位容量和刷新单位,16代表16M(4K刷新);17代表16M(2K刷新);28代表128M(4K刷新);64代表64M(16K刷新);65代表64M(8K刷新);66代表64M(4K刷新)。

            第5字段代表数据带宽,4代表4位;8代表8位;16代表16位;32代表32位。
            第6字段代表芯片组成,1代表1BANK;2代表2BANK;4代表4BANK;8代表8BANK。
            第7字段代表电气接口,1代表LVTTL。
            第8字段代表芯片的修正版本,A代表第1版;B代表第2版,依此类推。
            第9字段代表功耗,空白代表普通;L代表低功耗。
            第10字段代表封装方式,T代表TSOP;R代表TSOPⅡ;I代表BLP;S代表STACK。
            第11字段代表内存的速度,6代表6ns(166MHz);65代表6.5ns(153MHz);7代表7ns(143MHz);75代表7.5ns(133MHz);8代表8ns(125MHz);7K代表10ns(PC100
            @222);7J代表10ns(PC100@322);10K代表10ns(PC66);10J代表10ns(PC66);12代表12ns(83MHz);15代表15ns(66MHz)。
 楼主| 发表于 2006-11-19 01:00 | 显示全部楼层
内存颗粒编号的识别之-现代(Hyundai)
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            1.SDRAM内存(老版本)
            第1字段由HY组成,代表现代产品。
            第2字段代表产品类型,57代表DRAM;5D代表DDR SDRAM。
            第3字段代表电压,V代表3.3V;U代表2.5V。
            第4字段代表密度和刷新,4代表4MB(1K刷新);16代表16M(4K刷新);64代表64M(8K刷新);65代表64M(4K刷新);128代表128M(8K刷新);129代表128M(4K刷新);257代表256MB(8K刷新)。

            第5字段代表数据带宽,40代表4位;80代表8位;16代表16位;32代表32位。
            第6字段代表芯片组成,1代表2BANK;2代表4BANK。
            第7字段代表电气接口,0代表LVTTL;1代表SSTL;2代表SSTL2。
            第8字段代表芯片修正版本;空白代表第1版,A代表第2版;B代表第3版;C代表第4版;D代表第5版。
            第9字段代表功耗,空白代表普通;L代表低功耗。
            第10字段代表封装方式;JC代表400mil SOJ;TC代表400mil TSOP Ⅱ、TD代表13mm
            TSOP-II、TG代表16mm TSOP-Ⅱ;TQ代表100Pin TQFPI。
            第11字段代表内存的速度,5代表5ns(200MHz);55代表5.5ns(183MHz);6代表6ns(166MHz);7代表7ns(143MHz);75代表7.5ns(133MHz);8代表8ns(125MHz);10P代表10ns(100MHz@CL=2或3);10S代表10ns(100MHz@CL=3);10代表10ns(100MHz);12代表12ns(83MHz);15代表15ns(66MHz)。

            2.SDRAM内存(新版本)
            第1字段由HY组成,代表现代产品。
            第2字段代表产品类型,57代表SDRAM。
            第3字段代表电压,V代表3.3V。
            第4字段代表密度和刷新,64代表64M(4K刷新);65代表64M(8K刷新);28代表128M(4K刷新);56代表256M(8K刷新)。

            第5字段代表数据带宽,4代表4位;8代表8位;16代表16位;32代表32位。
            第6字段代表芯片组成,1代表2BANK;2代表4BANK。
            第7字段代表意义不详,一般为0。
            第8字段代表电气接口,0代表LVTTL;1代表SSTL_3。
            第9字段代表芯片修正版本;空白或H代表第1版,A或HA代表第2版;B或HB代表第3版;C或HC代表第4版。
            第10字段代表封装方式;T代表TSOP;Q代表TQFP;I代表BLP;L代表CSP(LF-CSP)。
            第11字段代表内存的速度,5代表5ns(200MHz);55代表5.5ns(183MHz);6代表6ns(166MHz);7代表7ns(143MHz);K代表7.5ns(PC133@CL=2);H代表7.5ns(PC133
            @CL=3);8代表8ns(125MHz);P代表10ns(PC100@CL=2);S代表10ns(PC100@CL=3);10代表10ns(100MHz)。



            内存颗粒编号的识别之-金邦(GeIL)SDRAM内存
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            第1字段代表产品系列,GL2000代表千禧条,BLP代表金条。
            第2字段由GP组成,代表金邦产品。
            第3字段代表产品类型,6代表SDRAM。
            第4字段代表制造工艺,C代表5V Vcc CMOS;LC代表0.2微米3.3V Vdd CMOS;V代表2.5V Vdd CMOS。
            第5字段代表容量,它与第7字段相乘就是总容量。
            第6字段代表容量单位,空白代表Bits;K代表KB,M代表MB,G代表GB。
            第7字段代表颗粒数量。
            第8字段代表芯片修正版本。
            第9字段代表封装方式,DJ代表SOJ;DW代表宽型SOJ;F代表54针4行FBGA;FB代表60针8*16
            FBGA;FC代表60针11*13
            FBGA;FP代表反转芯片封装;FQ代表反转芯片密封;F1代表62针2行FBGA;F2代表84针2行FBGA;LF代表90针FBGA;LG代表TQFP;R1代表62针2行微型FBGA;R2代表84针2行微型FBGA;TG代表TSOP
            Ⅱ,U代表μ BGA。
            第10字段代表内存的速度,7代表7ns(143MHz)。
            第11字段由AMIR组成,代表内部标识号。
            第12字段由四位数字组成,代表生产日期,前两个数字表示年份,如00表示2000年;后两个数字表示周数,如25表示第25周。
 楼主| 发表于 2006-11-19 01:01 | 显示全部楼层
内存颗粒编号的识别之-美光(Micron)
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            第1字段由MT组成,代表美光产品。
            第2字段代表内存类型,48代表SDRAM。
            第3字段代表内存种类,LC代表普通SDRAM。
            第4字段代表密度,此数与M后位数相乘即为容量。
            第5字段代表意义不详,一般为M。
            第6字段代表数据带宽,4代表4位;8代表8位;16代表16位;32代表32位。
            第7字段代表类型,AX代表write Recovery(TWR);A2代表2clk(TWR)。
            第8字段代表封装方式,TG代表TSOP II(RPPmil)。
            第9字段代表内存的速度,7代表7ns(143MHz);75代表7.5ns(133MHz);8A代表8ns(125MHz,读取周期为333);8B代表8ns(125MHz,读取周期为323);8C代表8ns(125MHz,读取周期为322);8
            D代表8ns(125MHz,读取周期为222);8E代表8ns(125MHz,读取周期为222);10代表10ns(100MHz@CL=3)。

            第10字段代表功耗,空白代表普通;L代表低功耗。

            举例说明G 颗粒机器原配条(标识PC 66 64M),超频后表现良好,解析如下:
            第1字段 GM 代表LGs
            第2字段 72   代表SDRAM。
            第3字段 V   代表3V。
            第4字段 66   代表64M(4K刷新)。
            第5字段 8     代表8位;
            第6字段 4   代表4BANK;
            第7字段 1     代表LVTTL
            第8字段 C   代表第3版
            第9字段 空白 代表普通功耗
            第10字段 T   代表TSOP;
            第11字段 7J     代表10ns(PC100@322);
            不难判断超频运行是合理的,但热量加大(非低功耗),实际超频后温度也是明显比标识PC 100 128MIBM 内存要高,但还是安全的.
发表于 2006-11-19 01:28 | 显示全部楼层
不错啊
发表于 2006-11-19 10:11 | 显示全部楼层
不错
发表于 2006-11-22 14:46 | 显示全部楼层
查一下看看
发表于 2006-11-22 15:52 | 显示全部楼层
好贴
发表于 2006-11-22 16:12 | 显示全部楼层
研究这个有意义么?
发表于 2006-11-23 13:00 | 显示全部楼层

是啊!是保留原装好呢?还是换成1G的好呢?

发表于 2006-11-23 13:31 | 显示全部楼层
看到了,以后如果要换的话有参照了。
发表于 2006-11-23 23:50 | 显示全部楼层
已阅
发表于 2006-11-24 19:36 | 显示全部楼层
我就是加装512拆机内存的,可是最近出现点问题,在浏览网页时老是弹出对话框说“什么和什么冲突”,然后浏览器就关闭了,也不知道是哪里得问题。。。有知道的吗?
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